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太阳能电池片

太阳能电池片分为单晶电池片和多晶电池片。性质是晶体。

太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结--去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。

国内常用的太阳能晶硅电池片根据尺寸和单多晶可分为:

单晶125*125

单晶156*156

多晶156*156

单晶150*150

单晶103*103

多晶125*125

125S晶体硅太阳电池技术参数








档次

转换效率

最大功率

最大功率点电流

最小功率点电流

最大功率点电压

短路电流

开路电压



Pm(Wp)

Im(A)max

Im(A)min

Vm(V)

Isc(A)

Voc(V)

A

18.00%

2.674-2.696

5.135

5.093

0.525

5.440

0.630

B

17.80%

2.645-2.673

5.111

5.057

0.523

5.410

0.628

C

17.60%

2.615-2.644

5.075

5.019

0.521

5.380

0.627

D

17.45%

2.593-2.614

5.027

4.987

0.520

5.350

0.627

E

17.30%

2.570-2.592

5.004

4.961

0.518

5.330

0.626

F

17.15%

2.548-2.569

4.988

4.948

0.515

5.320

0.620

G

17.00%

2.526-2.547

4.975

4.933

0.512

5.300

0.620

H

16.85%

2.504-2.525

4.949

4.910

0.510

5.280

0.615

I

16.70%

2.481-2.503

4.956

4.913

0.505

5.260

0.615

J

16.50%

2.452-2.480

4.911

4.850

0.505

5.240

0.615

K

16.25%

2.414-2.451

4.853

4.780

0.505

5.200

0.615

L

16.00%

2.377-2.413

4.778

4.707

0.505

5.160

0.610

M

15.75%

2.340-2.376

4.752

4.680

0.500

5.000

0.610

N

15.50%

2.303-2.339

4.678

4.606

0.500

4.980

0.605

O

15.25%

2.266-2.302

4.604

4.578

0.495

4.960

0.605

P

15.00%

2.229-2.265

4.576

4.503

0.495

4.940

0.600

SF156M多晶体硅太阳电池技术参数







档次

转换效率

最大功率

最大功率点电流

最大功率点电压

短路电流

开路电压



Pm(Wp)

Im(A)

Vm(mV)

Isc(A)

Voc(mV)

A

17.50%

4.258

8.189

520

9.30±5%

625±5%

B

17.25%

4.198

8.072

520

9.22±5%

625±5%

C

17.00%

4.137

7.955

520

9.11±5%

625±5%

D

16.75%

4.076

7.914

515

9.01±5%

620±5%

E

16.50%

4.015

7.796

515

8.89±5%

620±5%

F

16.25%

3.954

7.678

515

8.78±5%

620±5%

G

16.00%

3.893

7.560

515

8.67±5%

620±5%

H

15.75%

3.833

7.515

510

8.56±5%

615±5%

I

15.50%

3.772

7.396

510

8.45±5%

615±5%

J

15.25%

3.711

7.348

505

8.30±5%

615±5%

K

15.00%

3.650

7.228

505

8.16±5%

615±5%

L

14.75%

3.589

7.107

505

8.01±5%

615±5%

M

14.50%

3.528

6.987

505

7.87±5%

615±5%

N

14.25%

3.468

6.935

500

7.75±5%

610±5%

O

14.00%

3.407

6.814

500

7.61±5%

610±5%

P

13.50%

3.285

6.637

495

7.38±5%

610±5%

Q

13.00%

3.163

6.456

490

7.12±5%

610±5%

R

12.50%

3.042

6.272

485

7.86±5%

610±5%

S

12.00%

2.920

6.084

480

6.56±5%

605±5%

T

11.50%

2.798

5.891

475

6.34±5%

600±5%

U

11.00%

2.677

5.695

470

6.08±5%

590±5%

V

10.50%

2.555

5.495

465

5.82±5%

580±5%

W

<10.5%






太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结--去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。具体介绍如下:

太阳电池片采用只需一次烧结的共烧工艺,同时形成上下电极的欧姆接触。银浆、银铝浆、铝浆印刷过的硅片,经过烘干使有机溶剂完全挥发,膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上,这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当电极金属材料和半导体单晶硅加热达到共晶温度时,单晶硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金电极材料中。单晶硅原子溶入到电极金属中的整个过程是相当快的,一般只需几秒钟时间。溶入的单晶硅原子数目取决于合金温度和电极材料的体积,烧结合金温度越高,电极金属材料体积越大,则溶入的硅原子数目也越多,这时的状态被称为晶体电极金属的合金系统。如果此时温度降低,系统开始冷却形成再结晶层,这时原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来,也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层。如果外延层内含有足够量的与原先晶体材料导电类型相同的杂质成份,这就获得了用合金法工艺形成欧姆接触;如果在结晶层内含有足够量的与原先晶体材料导电类型异型的杂质成份,这就获得了用合金法工艺形成P.N结。

一般网带式烧结炉采用电热丝作为加热元件,主要通过热传导对工件进行加热,无法实现急速升温。只有辐射或微波能够迅速加热物体,而辐射加热具有使用经济、安全可靠、更换方便等优点。所以太阳电池片烧结炉基本都采用红外石英灯管作为主要加热元件。它的设计需注意以下三个问题:

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