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SOI

《SOI》作者是林成鲁,中国科学技术大学出版社出版发行的书籍

材料通过在绝缘体上形成半导体薄膜,SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点:可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。此外,SOI材料还被用来制造MEMS光开关,如利用体微机械加工技术。

SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升时脉,并减少电流漏电成为省电的IC。原本应通过交换器的电子,有些会钻入硅中造成浪费。SOI可防止电子流失。摩托罗拉宣称中央处理器可因此提升时脉20%,并减低耗电30%。除此之外,还可以减少一些有害的电气效应。还有一点,可以说是很多超频玩家所感兴趣的,那就是它的工作温度可高达300°C,减少过热的问题。

SOI(Service Oriented Infrastructure,面向服务的基础设施)能够满足实时企业(RTE)的需求。Open Group--一个致力于为SOI定义引用框架和成熟度模型的公开标准联盟,其认为,利

用SOI,更确切地说,利用SOI中的虚拟处理器、存储和网络资源,企业无需考虑为每一个应用程序分配固定的资源,就可以实现应用程序的动态资源分配。

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SOI wafer尺寸: 4"(100mm), 5"(125mm), 6"(150mm)and 8"(200mm)

SOI Spec. 规格:

1- Bonded SOI wafer (绝缘硅上键合硅片)

For 4"(100mm), 5"(125mm), 6"(150mm)

---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um,

---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,

---- Device layer minimum 2 um, max 500 um.

For 8"(200mm)

---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,

---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,

---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

2- Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接键合,可替代外延片

100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

3- Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),

Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)

and finally Through Silicon Via (TSV)

---- Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer

---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process

---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated

4- SOI + Trench & Refill

Features

Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation

(DI) or junction isolation

Bulk quality top silicon layer

Total device-to-device isolation

Lower substrate capacitance than bulk

Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters

5- Superjunction MOSFET

Southern Oscillation Index, 南方涛动的特征指数,通常使用达尔文岛与塔希提(Tahiti)岛之间的气压差来表示。

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