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碳化硅器件高温活化炉

由德国Centrotherm thermal solutions生产的高温炉Activator 150用于SiC或GaN器件注入后退火,独特工艺炉管和加热系统设计允许工艺温度可达1950 ℃. Centrotherm最新研发SiC工艺炉管用以满足新兴的150毫米SiC衬底工艺。

Activator 150-5 是为研发工作而特制的;Activator 150-50 专为大批量生产而设计,为了缩短生产周期Activator 150-50采用机械手自动传片系统。

Activator 150通过碳化硅升华生长石墨层,可以获得高性能器件,该工艺在圆片区域石墨的生成尺寸达到直径150毫米。

高活化效率 最小表面粗糙度

最大温度可达 1950 ℃

占地少 [1.8 m2]

升温速率可达 100 K/min

批处理包括 2″,3″, 4", 6"

批处理数量达到 40 片硅片[2″], 50 片硅片 [6"]

真空度小于10-3 mbar [可选]

可并排安装石墨烯生长

注入后高温退火

[3C, 4H, 6H器件,传感器]

GaN 退火 大面积石墨烯形成

SiC 表面制备[例如碳化]

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